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이재용 "다시 한계 넘자"…4세대 반도체 양산 준비 마친 날 '초격차' 더욱 독려

기사입력 : 2020-03-25 11:06

(최종수정 2020-03-25 16:15)

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[한국금융신문 곽호룡 기자] 이재용닫기이재용기사 모아보기 삼성전자 부회장이 25일 삼성 연구개발(R&D) 중심지인 삼성종합기술원을 찾아 "한계에 부딪쳤다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자"고 독려했다.

이날 삼성전자는 업계 최초로 반도체 초미세공정 기술인 극자외선(EUV)을 D램에 적용한 양산체제를 구축하는데 성공했다.

이 부회장은 삼성종합기술원에서 간담회를 열고 ▲차세대 AI 반도체 및 소프트웨어 알고리즘 ▲양자 컴퓨팅 기술 ▲미래 보안기술 ▲반도체·디스플레이·전지 혁신소재 등 차세대 기술 연구개발 현황을 점검했다.

이재용 삼성전자 부회장.
이재용 삼성전자 부회장.


또한 이 부회장은 지난해 설립한 미세먼지 연구소 추진 전략도 함께 살펴봤다. 그는 "어렵고 힘들 때일수록 미래를 철저히 준비해야 한다"면서 "국민 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신"이라고 말했다.

이 자리에는 김기남닫기김기남기사 모아보기 삼성전자 DS부문장 부회장, 황성우 삼성종합기술원장 사장, 강호규 삼성전자, 반도체연구소장, 곽진오 삼성디스플레이 연구소장 등이 참석했다.

한편 삼성전자는 평택 메모리반도체 사업장에 'EUV D램' 공정 양산체계를 갖췄다.

반도체는 생산과정에서 빛으로 회로를 세기는 노광공정이 진행되는데, 노광에 쓰이는 광원으로 기존 불화아르곤(ArF) 대신 극자외선(EUV)을 도입한 것이다. EUV는 빛 파장이 짧아 더 미세한 작업이 가능하고, 한 번에 더 많은 회로를 세길 수 있어 가격경쟁력도 끌어올린 것으로 풀이된다.

업계에서는 EUV D램을 4세대 기술로 평가하고 있다. 해당 제품 양산 시점이 반도체업체 사이 기술격차가 벌어지는 또 다른 변곡점으로 보고 있다.

삼성전자는 올 하반기 평택 EUV D램 라인을 가동하고, 내년 여기서 만든 '4세대 10나노급 D램'을 본격 양산해 반도체 기술 리더십을 공고히 한다는 전략이다.

곽호룡 기자 horr@fntimes.com

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