칩스케이, GaN 전력반도체 ‘HighGaN’ 국제상표 등록 완료

[한국금융신문 정경환 기자] 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 질화갈륨(GaN) 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다. ‘제09류(전력반도체, 전력변환 장치 등)’에 해당되며 등록 명칭은 ‘HighGaN’이다.

‘HighGaN’은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능과 신뢰성을 가지고 있다는 의미로, 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화 및 글로벌 IP 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다.

칩스케이는 국내 최초로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로, 고속 충전기와 AI 데이터센터 그리고 산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다.

연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객 및 파트너사에 ‘HighGaN’ 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 마케팅에 집중할 예정이다.

곽철호 칩스케이 대표는 “‘HighGaN’ 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치”라며 “양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해 나가겠다”고 했다.

칩스케이는 2017년 설립된 GaN 특화 전자소자 설계 전문 팹리스로, 고성능 전력반도체 분야에 주력하며 차별화된 기술 경쟁력을 확보하고 있다.

GaN은 대표적인 화합물 반도체 소재다. 기존 실리콘(Si) 대비 높은 전력 효율성과 고속 스위칭, 고온 안정성, 소형화 등을 통해 전기차와 에너지 저장장치(ESS), 데이터센터 등 전력 인프라 핵심 소재로 주목받고 있다.

정경환 한국금융신문 기자 hoan@fntimes.com