SK하이닉스, TSMC와 HBM4 개발 협력

[한국금융신문 홍윤기 기자] SK하이닉스는 차세대 HBM(고대역폭 메모리)생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 MOU를 체결했다고 19일 밝혔다.

양사는 6세대 HBM인 'HBM4(2026년 양산 예정) 개발에 협력하는 한편 고객 맞춤형 HBM 사업 능력도 강화할 방침이다.

SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM기술 혁신을 이끌어 내겠다”며,“고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다.

구체적으로 양사는 HBM패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 만들어진다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호 연결하는 기술이다.베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic)선단 공정을 활용할 계획이다.

SK하이닉스는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형(Customized) HBM을 생산할 계획이다.

김주선 SK하이닉스 사장(AI 인프라 담당)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업(Open collaboration)에도 속도를 낼 것”이라며, “앞으로 SK하이닉스는 고객 맞춤형 메모리 플랫폼(Custom Memory Platform)경쟁력을 높여 ‘토털(Total) AI메모리 프로바이더(Provider)’의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다.

케빈 장(Kevin Zhang) TSMC 수석부사장은 “TSMC와 SK하이닉스는 수 년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI솔루션을 시장에 공급해 왔다”며 “HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI기반 혁신에 키가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것”이라고 했다.

홍윤기 한국금융신문 기자 ahyk815@fntimes.com