이번 행사는 '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 열렸으며 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장, 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 부사장 등 업계 주요 인사들이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.
에지 디바이스는 데이터를 생성, 활용, 소비하는 모든 기기를 뜻한다. HBM3E는 삼성전자의 5세대 HBM D램 제품이다. CAMM은 LPDDR 패키지 기반 모듈 제품이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다. 또 “새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다”고 덧붙였다.
이외에도 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다. 더블 스택은 ‘채널 홀’ 공정을 두 번 진행해 만든 구조다.
또 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 강조했다.채널 홀 에칭은 적층된 셀층에 미세한 원통형 구멍을 뚫어 전자가 이동할 수 있는 채널 홀을 형성하는 건식 식각(드라이 에칭) 기술이다.
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