올해 투자는 "구체적인 계획은 미정"이라면서도, 비메모리반도체·차세대 디스플레이·AI 등 미래성장사업에 계획된 대규모 투자를 예정대로 집행한다는 계획이다.
2018년 투자액(29조4000억원)에 비해 약 9% 줄었다. 2017년(43조4000억원)부터 2년 연속 설비투자를 축소한 것이기도 하다.
삼성전자 관계자는 "2018년은 디램증설 투자규모가 컸으나 2019년은 공정전환에 집중하면서 투자가 감소했다"고 설명했다. 또 2018년 중소형 OLED 투자종료로 관련 투자액도 감소했다고 덧붙였다.
다만 파운드리는 EUV 7나노 공정 투자 등으로 전년 대비 증가했다.
삼성전자는 올해 시설투자도 지난해와 마찬가지로 시장 상황에 맞게 탄력적으로 맞춰가겠다고 밝혔다.
특히 메모리 설비투자에서 이같은 운영기조를 유지한다. 이날 삼성전자는 올 1분기까지 D램 중심으로 메모리 반도체 수요·판가 하락이 지속될 것이라고 예상했다. 연간기준으로는 D램 10%대 중반, 낸드 20% 중후반 수요증가를 예상했다.
하지만 시스템반도체, 디스플레이, AI, 5G 등 미래성장 사업은 중장기 리더십 확보를 위해 계획대로 차질없이 투자를 집행한다는 방침이다.
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곽호룡 기자 horr@fntimes.com
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