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SK하이닉스, HBM3E 세계 최초 양산·납품 시작..."HBM 세계 1위 공고히 할 것"

기사입력 : 2024-03-19 10:45

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4세대 HBM3에 이어 5세대 HBM3E 세계 최초 대규모 양산
류성수 부사장, "토털 AI 메모리 프로바이더' 위상 굳힐 것"

SK하이닉스 HBM3E 제품 이미지./사진 = SK하이닉스 이미지 확대보기
SK하이닉스 HBM3E 제품 이미지./사진 = SK하이닉스
[한국금융신문 홍윤기 기자] SK하이닉스는 AI용 메모리 HBM(고대역폭 메모리) 신제품인 HBM3E(5세대)를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 시작한지 7개월 만이다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며, “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 늘린 고부가가치, 고성능 메모리다.

많은 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다.

SK하이닉스는 “글로벌 빅테크 기업들이 AI에 투자를 늘리고 있는 가운데 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준도 높아지고 있다”며 “HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것”이라고 설명했다.

HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다.

초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 또 효과적인 발열 제어를 위해 HBM3E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF기술이 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 안정적인 양산이 가능하다고 설명했다.

류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “SK하이닉스는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며, “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 했다.

홍윤기 한국금융신문 기자 ahyk815@fntimes.com

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