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SK하이닉스, 메모리 한파에 직격탄…기술 투자로 리더십 강화

기사입력 : 2023-02-01 12:22

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사진=SK하이닉스이미지 확대보기
사진=SK하이닉스
[한국금융신문=정은경 기자] 2012년 이후 10년 만에 분기 영업손실을 기록한 SK하이닉스(대표 박정호닫기박정호기사 모아보기, 곽노정닫기곽노정기사 모아보기). 회사는 ‘기술 리더십’에 투자를 지속해 시장 지배력을 강화하겠다고 강조했다. 무엇보다 올 하반기 예상되는 반도체 시황 개선에 맞춰 빠른 턴어라운드를 해내겠다는 자신감도 드러냈다.

SK하이닉스는 지난해 4분기 매출액 7조6986억원, 영업손실 1조7012억원을 기록했다고 1일 밝혔다. 매출액은 전년 동기 대비 37.8% 감소했지만, 영업이익은 적자전환했다. SK하이닉스가 분기 영업손실을 기록한 것은 2012년 3분기 이후 10년 만이다.

지난해 하반기부터 메모리 수요가 줄어들고, 제품 가격도 큰 폭으로 하락한 것이 적자전환으로 이어졌다. SK하이닉스는 “4분기는 전분기 대비 재고가 증가하고 판가가 하락한 영향으로 6000억원~7000억원 정도의 재고자산평가손실을 기록했다”고 밝혔다.

SK하이닉스 연간 실적 추이. 자료=SK하이닉스이미지 확대보기
SK하이닉스 연간 실적 추이. 자료=SK하이닉스
지난해 SK하이닉스의 연매출은 44조6481억원, 영업이익은 7조66억원을 거뒀다. 매출은 전년 대비 3.8% 늘었지만, 영업이익은 43.5% 줄었다

서버와 PC 시장에 고용량 D램 제품 공급을 늘리고, 성장세가 커지고 있는 AI, 빅데이터, 클라우드 고객사엔 DDR5와 HBM 등 독보적인 기술력을 확보한 제품의 판매를 늘렸다. 특히 데이터센터용 SSD에서는 고객 확대를 통해 전년 대비 4배 증가한 매출을 거뒀다.

SK하이닉스는 “지난해 매출 성장세는 이어졌으나 하반기부터 반도체 다운턴이 지속되면서 영업이익은 전년 대비 감소했다”라며 “경영환경의 불확실성이 높아짐에 따라 회사는 투자와 비용을 줄이고 성장성 높은 시장에 집중해 업황 악화로 인한 타격을 최소화하기 위해 노력하고 있다”고 설명했다.
1분기, 메모리 재고 정점…D램·낸드 출하량 감소
모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’. 사진=SK하이닉이미지 확대보기
모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’. 사진=SK하이닉
특히 SK하이닉스는 올해 1분기 D램 출하량은 전 분기 대비 두 자릿수 감소하고, 낸드는 한자릿수 후반으로 감소할 것으로 예상했다.

SK하이닉스는 “1분기는 계절적 비수기로 업계 전반의 높은 재고 수준으로 예년에 비해 더욱 수요가 위축될 것으로 보인다”며 “신규 캐파 투자 없이 일부 공정 전환에 따른 감소를 고려하면 올해 D램과 낸드의 웨이퍼 생산은 전년 대비 줄어들 것”으로 봤다.

이어 “올 1분기 메모리 반도체 재고 수준은 정점을 기록하고 이후 점진적으로 낮아지는 추세. 하반기로 갈수록 수급 상황이 개선될 것”이라고 봤다.

중국 리오프닝·신규 CPU 출시 등 하반기 시장 반등 기대감 UP
박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장. 사진=SK하이닉스이미지 확대보기
박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장. 사진=SK하이닉스
SK하이닉스는 올 하반기 IT 기업들이 고점 대비 큰 폭으로 가격이 떨어진 메모리 반도체의 사용량을 늘리면서 시장 상황이 개선될 것으로 전망했다. 특히 중국의 리오프닝, 신규 CPU 출시 등도 상황 개선에 긍정적인 역할을 할 것이란 기대감도 나온다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “중국 스마트폰 시장은 리오프닝 이후 경기 부양 정책, 예를 들어 스마트폰 보조금 등의 정책적 변화가 있다면 하반기 출시되는 신제품 위주로 고용량 제품에 대한 수요가 늘 것”이라며 “신규 CPU 출시에 따른 고용량 DDR5는 분명히 시장의 사업 기회”라고 봤다.

그러면서 “최근 인텔이 DDR5가 적용되는 신형 CPU를 출시하고, AI에 기반한 신규 서버용 메모리 수요가 발생할 수 있는 긍정적인 시그널이 시장에 나오고 있는 데 주목하고 있다”며 “당사가 데이터센터용 DDR5와 176단 낸드 기반 기업용 SSD에서 세계 최고의 기술력을 확보한 만큼, 시장 반등 시 빠르게 턴어라운드를 해낼 것으로 기대한다”고 말했다.

SK하이닉스는 “D램 1a나노미터와 낸드 176단 생산 비중이 20%, 60% 수준에 도달했으며 일부 제품 이미 성숙 수율에 도달했다. 신제품 수율 안정화 달성해 수요 개선에 따라 양산 확대 준비를 갖췄다”면서 “올해 중반 차세대 제품 1b나노미터와 238단 양산준비를 완료했다”고 밝혔다.

올해 투자 규모 전년 대비 50% 축소…미래성장 분야 투자 지속
자료=SK하이닉스이미지 확대보기
자료=SK하이닉스
올해 투자 규모는 지난해 10월 3분기 실적발표에서 언급한 바와 같이 전년도(19조원) 대비 50% 이상 줄인다는 기조를 유지키로 했다. 추가 감축은 고려하지 않지만, DDR5, LPDDR5, HBM3 등 주력제품 양산과 미래성장 분야에 대한 투자는 지속한다는 방침이다.

SK하이닉스는 “큰 규모의 투자 축소로 볼 수 있지만, 올해부터 수요가 증가하는 DDR5와 HBM3, 1a나노미터 176단 기반 제품은 고객 수요에 맞춰 공급할 수 있도록 만반의 준비를 하겠다”고 말했다.

EUV(극자외선) 적용 공정도 확대할 방침이다. SK하이닉스는 “1a나노에선 원가절감 효과가 가장 큰 공정에 EUV를 적용 중”이라며 “EUV 적용 어디까지 얼마나 적용 단언할 순 어렵지만 일단 1C나노에서 EUV 적용 개수를 점진적으로 늘릴 계획을 갖고 있다. EUV 적용에 대한 장비에 대해서도 최적화하고 높은 효율성을 유지할 계획”이라고 덧붙였다.

김우현 부사장은 “당사는 이번 다운턴을 잘 극복함으로써 더욱 견고한 체질로 무장해 글로벌 초일류 기술기업으로 더 크게 도약할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 말했다.

정은경 기자 ek7869@fntimes.com

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