
삼성그룹은 전일 향후 3년간 반도체를 중심으로 국내 180조원, 해외 60조원 등 총 240조원 규모의 신규투자를 집행할 계획이라고 발표했다.
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이어 “메모리 반도체(DRAM·NAND) 투자는 기존 계획대로 유지함과 동시에 중장기 인프라 투자에 집중할 것”이라며 “삼성전자가 비메모리 반도체에 집중 투자하며 조기 설비투자를 집행하는 것은 새로운 구조를 선제 적용한 3나노를 내년부터 본격 양산을 시작해 TSMC, 인텔 대비 경쟁우위를 확보하기 위한 점유율 확대 전략으로 판단된다”라고 설명했다.
향후 3년간 삼성전자의 비메모리 반도체 투자 규모는 연평균 14조6000억원으로 예상된다. 이는 과거 2년간의 연평균 투자규모인 6조7000억원의 2배를 넘어서는 수준이다.
김동원·황고운 연구원은 삼성전자 비메모리 반도체 집중 투자 전략에 대해 “향후 변동성 낮은 비메모리 반도체 이익비중을 확대시켜 삼성전자 중장기 밸류에이션 상승을 견인할 것”이라며 “비메모리 관련 소재 및 장비 산업의 생태계 확장으로 직결될 것”이라고 예상했다.
이어 “국내 주식시장에서 비메모리 소재, 장비업체의 희소가치를 고려하면 한솔케미칼, 원익IPS의 투자 매력은 더욱 커질 것”이라고 전망했다.
홍승빈 기자 hsbrobin@fntimes.com
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