이미지 확대보기
곽노정기사 모아보기 SK하이닉스 사장은 “HBM3E 12단 제품의 샘플을 고객사에 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비하고 있다”고 했다.2일 SK하이닉스에 따르면 곽노정 사장은 이날 경기도 이천 본사에서 열린 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’ 내외신 기자간담회에서 이같이 밝혔다.
곽 사장은 또 “현재 SK하이닉스의 HBM은 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃 상태”라고 밝혔다.
곽 사장은 "SK하이닉스는 “HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 있다”고 강조했다.
이날 행사에는 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조·기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진도 참석했다.
관련기사
김주선 사장은 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이. 2023년 전체의 약 5%(금액 기준)에서 2028년엔 61%에 달할 것으로 전망했다.
그는 “D램에서는 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며, 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화하고 있고 낸드에서도 업계 유일의 60TB 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다”고 했다.
최우진 부사장(P&T 담당)은 SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진 현황에 대해 설명했다.
최 부사장은 “SK하이닉스가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술”이라면서 “MR-MUF 기술이 High Stack에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않으며, 우리는 어드밴스드 MR-MUF기술로 이미 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다”며 "HBM4(6세대 HBM)에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정"이라고 설명했다.
최 부사장은 또 "지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했고 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라고 밝혔다.
김영식 부사장(제조기술 담당)은 청주 M15x 및 용인 클러스터 투자에 관한 계획에 대해 밝혔다.
김영식 부사장은 “급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 캐파(생산능력) 확대가 필요했고, 이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15x를 건설하기로 했다”며 “M15x는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정”이라고 설명했다.
SK하이닉스는 지난달 M15x 팹 건설 공사에 착수했다. 해당 팹은 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어간다.
아울러 용인 클러스터는 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 회사 팹 56만 평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성된다.
SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 구축하고 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 협업할 수 있도록 할 예정이다. 용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수해 2027년 5월 준공 예정이다.
홍윤기 한국금융신문 기자 ahyk815@fntimes.com
데일리 금융경제뉴스 Copyright ⓒ 한국금융신문 & FNTIMES.com
저작권법에 의거 상업적 목적의 무단 전재, 복사, 배포 금지
가장 핫한 경제 소식! 한국금융신문의 ‘추천뉴스’를 받아보세요~














![박민우 현대차‧기아 AVP본부장 “혼자 실패하게 두지 않겠다” [CEO 포커스]](https://cfnimage.commutil.kr/phpwas/restmb_setimgmake.php?pp=006&w=110&h=79&m=5&simg=20260522140824030540dd55077bc212411124362.jpg&nmt=18)
