SK하이닉스, 삼성전자 보다 빠른 D램 'HBM2E' 양산 돌입

[한국금융신문 곽호룡 기자] SK하이닉스는 초고속 D램 'HBM2E' 양산에 돌입했다고 2일 발표했다. HBM2E는 복잡하고 방대한 데이터 처리를 요구하는 AI 서버나 슈퍼컴퓨터에 사용되는 고성능·고부가가치 반도체다.

HBM2E는 여러 개 D램을 전극으로 연결해 쌓아 올리는 실리콘관통전극(TSV) 기술이 적용됐다. 기존 와이어 연결 방식 대비 크기는 30%, 전력 소모는 50% 이상 줄어든다는 설명이다. HBM2E는 16GB급 D램이 8개로 연결됐다.

HBM2E 데이터 처리 속도는 기존 HBM2 보다 1.5배 가량 빠른 초당 3.6GB를 자랑한다. 삼성전자가 지난 2월 내놓은 HBM2E '플래시볼트'(초당 3.2GB) 보다 빠른 현존 최고 속도인셈이다.



삼성전자와 SK하이닉스는 HBM D램에서 치열한 속도 경쟁을 벌여왔다. 2016년 SK하이닉스가 AMD와 공동으로 개발한 첫 4GB HBM을 양산하자, 이듬해 삼성전자는 보다 성능이 향상된 제품을 내놓았다. 2017~2018년 개발된 8GB급 HBM2 대결에서도 삼성전자가 우세한 양상을 보였다.

SK하이닉스가 이번에 신제품을 내놓으면서 수주 경쟁도 한층 치열해질 것으로 전망된다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다"며 "이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것"이라고 말했다.



곽호룡 기자 horr@fntimes.com