삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야 투자 규모를 기존 133조원에서 171조원으로 확대한다고 밝혔다.
앞서 지난 2019년 정부는 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 당시 삼성전자는 '시스템반도체 비전 2030'을 제시하며 133조원의 투자계획을 발표했다.
삼성전자는 오는 2022년 하반기 평택 3라인을 완공할 계획이다. 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.
삼성전자는 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용하고, ▲메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.
국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 더욱 확대한다.
삼성전자 측은 “파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커진다”며 “많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드 되는 부가 효과를 유발한다”고 설명했다.
김기남 부회장은 "지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때"라며 "우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것"이라고 밝혔다.
정은경 기자 ek7869@fntimes.com
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