7일 유종우 연구원은 “올해 삼성전자 투자자포럼 발표 내용은 파운트리전략과 차량용 유기발광다이오드(OLED), 메모리반도체와 데이터센터 간 관계 등으로 구성됐다”며 “가장 인상적이었던 건 파운트리 사업의 기술적 로드맵과 경쟁력에 대한 발표였다”고 평가했다.
유 연구원은 “TSMC사가 연말부터 7nm 공정을 양산하기 시작할 계획이지만 EUV 적용 7nm 공정을 양산하는 건 삼성전자가 최초가 될 전망”이라며 “삼성전자의 7nm 공정 첫 제품은 지금까지와는 달리 암호화폐 채굴용 주문형반도체(ASIC) 칩일 가능성이 크다”고 전망했다.
그는 “14nm부터 적용 시작한 핀펫(FinFET) 공정의 한계를 4nm로 파악, 3nm부턴 4차원 구조의 GAA 트렌지스터를 적용하기로 했으며 2020년 개발 완료할 계획”이라며 “올 2020~2021년 3nm 공정 고객을 확보할 경우 지난 2015년 14nm 핀펫 기술로 선두업체인 TSMC를 잠시 앞질렀던 것처럼 다시 TSMC를 역전할 수 있다”고 덧붙였다.
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