7일 유종우 연구원은 “올해 삼성전자 투자자포럼 발표 내용은 파운트리전략과 차량용 유기발광다이오드(OLED), 메모리반도체와 데이터센터 간 관계 등으로 구성됐다”며 “가장 인상적이었던 건 파운트리 사업의 기술적 로드맵과 경쟁력에 대한 발표였다”고 평가했다.
이어 “삼성전자 파운트리 사업부는 사업부로 독립한지 1년째 되던 지난달 미국에서 2020년 3nm(나노미터) 기반 GAA(Gate All-Around) 기술 적용 계획을 발표했다”며 “극자외선(EUV) 적용 7nm 공정을 올 하반기부터 시험 생산하고 내년부터 양산할 계획”이라고 설명했다.
그는 “14nm부터 적용 시작한 핀펫(FinFET) 공정의 한계를 4nm로 파악, 3nm부턴 4차원 구조의 GAA 트렌지스터를 적용하기로 했으며 2020년 개발 완료할 계획”이라며 “올 2020~2021년 3nm 공정 고객을 확보할 경우 지난 2015년 14nm 핀펫 기술로 선두업체인 TSMC를 잠시 앞질렀던 것처럼 다시 TSMC를 역전할 수 있다”고 덧붙였다.
김수정 기자 sujk@fntimes.com
데일리 금융경제뉴스 Copyright ⓒ 한국금융신문 & FNTIMES.com
저작권법에 의거 상업적 목적의 무단 전재, 복사, 배포 금지
가장 핫한 경제 소식! 한국금융신문의 ‘추천뉴스’를 받아보세요~













![[THE COMPASS] 에코프로, 과도한 CAPEX ‘부메랑’…’스텝업’ 조항 초읽기](https://cfnimage.commutil.kr/phpwas/restmb_setimgmake.php?pp=006&w=110&h=79&m=5&simg=20260831101521055860a837df6494211521828.jpg&nmt=18)
![기관 '삼성SDI'·외인 '삼성전기'·개인 '삼성전자' 1위 [주간 코스피 순매수- 2026년 8월24일~8월28일]](https://cfnimage.commutil.kr/phpwas/restmb_setimgmake.php?pp=006&w=110&h=79&m=5&simg=20260828203114057330179ad439071182355119.jpg&nmt=18)

