박성욱닫기박성욱기사 모아보기 SK하이닉스 부회장이 새해 벽두에 밝힌 포부다.
◇ SK하이닉스 사상 첫 부회장 발탁
최태원닫기최태원기사 모아보기 SK그룹 회장은 지난해 12월 21일 인사에서 SK하이닉스 창사 이래 첫 부회장 발탁 인사를 냈다. “박성욱 사장이 반도체 기술 경쟁력 확보는 물론 실적 개선에 기여한 공로를 인정한 승진 인사”라는 설명이 뒤따랐다. 부회장 승진은 지난 2013년 2월 SK하이닉스 대표이사 취임과 함께 사장으로 승진한 지 약 4년 만이다. 지난 2012년 초 SK 편입 이전까지 포함해도 회사 역사상 첫 대표이사 부회장 자리에 오르게 됐다.
그룹 내외부의 우려를 뚫고 최태원 회장은 2012년 인수를 감행하는 결단력을 선보였지만 당시만 해도 하이닉스 앞날은 먹구름이 만만치 않았다. 인수하던 해 연간 2200억원 적자가 냉엄한 현실을 상징한다. 게다가 박 부회장이 당시 사장 선임 직전이던 2013년 2월 최 회장이 구속되면서 SK하이닉스 뿐 아니라 그룹 전체가 초긴장 상태로 빠져 들었다.
때문에 박 부회장이 이끈 하이닉스가 그룹 전체에 불어넣은 활력은 값진 것이다. 2013년 초 대표이사 사장에 오른 박 부회장은 첫해부터 회사를 흑자 구조로 탈바꿈시켰다. 2014년에는 매출 17조 원과 영업이익 5조 원을 돌파했다. 이어 2015년 영업이익 5조3361억 원을 올리며 사상 최대실적을 냈다. 증권가에서는 SK하이닉스가 지난해 거둘 영업이익이 역대 최대인 8조원에 육박할 것으로 전망하고 있다. 주가도 연일 상승세를 보이고 있다.
박 부회장이 SK하이닉스의 대규모 투자계획을 내놓으며 성장전략에 본격적인 시동을 걸었다. 생산공장 증설이 마무리되는 시기와 투자규모가 글로벌 경쟁사들보다 크게 뒤처져 경쟁력을 확보하기 쉽지 않을 수도 있다. 박 부회장이 3D낸드를 중심으로 전환하는 데 투자를 늘리는 등 더욱 적극적으로 대응해야 한다는 주문이 나온다.
SK하이닉스는 지난해 12월 22일 충청북도 청주에 2조2000억원을 투자해 새 공장을 짓고 중국 우시의 D램 생산공장에 9500억원 규모의 보완투자도 집행한다는 계획을 발표했다. 박 부회장이 승진한지 하루만에 대규모 투자계획을 내놓은 것이다. 박 부회장은 “청주의 신규 반도체공장은 신산업 시대를 대비하는 SK하이닉스의 핵심기지가 될 것”이라며 “적기에 공장이 건설될 수 있도록 노력하겠다”고 말했다.
SK하이닉스의 청주 신규공장은 내년 8월 착공에 들어가 2019년 6월 완공이 예정됐다. 우시공장의 확장공사는 2019년 4월 마무리된다. SK하이닉스는 신규공장을 신성장동력인 3D낸드 생산시설로 만들 공산이 크다. D램의 업황이 불안정한 반면 낸드플래시의 수요는 빠르게 증가하며 성장성이 주목받고 있기 때문이다.
하지만 이런 계획이 글로벌 경쟁업체들의 본격적인 메모리반도체공장 증설시기보다 늦고 투자규모도 작아 향후 시장경쟁력을 확보하기 어려울 수 있다는 지적이 나온다.
SK하이닉스는 신규공장 증설 외에 기존 D램 생산시설을 3D낸드로 전환하거나 미세공정의 비중을 높여 반도체 생산성을 끌어올리는 등 추가적인 투자도 계획하고 있다. SK하이닉스 관계자는 “반도체 공장건설에 통상 2년 이상이 걸리는 만큼 중장기 경쟁력 확보를 위한 선제적 투자를 결정한 것”이라며 “내년부터 기존 공장에서 3D낸드 양산도 확대한다”고 말했다. SK하이닉스는 삼성전자에 이어 낸드플래시 기술력에서 2위를 기록했다는 평가를 받는다.
하지만 양산시설 규모에서 경쟁업체에 크게 밀린다면 원가경쟁력을 확보하기 어려워 내년부터 본격화되는 낸드플래시 수요성장에 큰 수혜를 입지 못할 수 있다. 낸드플래시업체들이 과도한 생산투자를 벌이고 있다는 지적을 받는만큼 SK하이닉스가 예정대로 2019년에 신규공장을 완공해도 낸드플래시시장에서 공급과잉이 벌어질 가능성이 높다.
정부지원을 등에 업은 XMC반도체 등 중국기업들도 2019년을 전후로 본격적인 3D낸드 양산계획을 잡아두고 있는 만큼 SK하이닉스가 치열한 경쟁에 밀려 증설효과를 보기 어려울 수도 있다. 박 부회장이 SK하이닉스의 시장진입을 더 앞당겨 초기에 수요를 선점하려면 증설투자를 집행하는 동시에 3D낸드의 생산비중을 높이는 전환투자에도 더 속도를 내야 한다는 주문이 나온다.
SK하이닉스는 박 부회장의 승진을 계기로 급변하는 시장에 대응할 수 있는 근본적인 변화를 추진하겠다고 밝혔다. 또 지속성장을 위한 시의적절한 전략적 의사결정을 단행할 것이라고 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 “3D낸드 공정 특성상 필요한 장비가 많아지고 대형화돼 공장증설이 없이는 생산량 확대에 제약이 있다”며 “회사의 기술역량 등도 고려해 양산시기를 계속 검토할 것”이라고 말했다.
◇ 3D낸드플래시 반전 드라마 예고
하지만, 박 부회장이 받아든 숙제는 만만치 않다. 이천공장 M14팹의 2층 공사를 내년 상반기 마무리하고 , 4세대(72단) 3D 낸드플래시 메모리 양산을 성공시켜야 하기 때문이다.
반도체업계의 새로운 ‘캐시카우’로 떠오른 3D낸드시장에서 뒤처지지 않는 것이 관건이다. 올 하반기 들어 메모리반도체 시장이 호황으로 반전됐지만, 높은 D램의존도는 회사 실적을 좌우하는 뇌관이다.
삼성전자가 D램 부진에도 불구하고 낸드플래시로 상반기 실적을 방어한 것과 비교되는 대목이다. 하이닉스가 3D낸드로 빨리 전환하지 못한다면 글로벌 경쟁에서 뒤처질 수 있다. 삼성전자가 3D낸드플래시 시장을 싹쓸이하며 앞서가고 있어 마음은 더욱 초조하다.
스마트폰의 고용량화와 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장 급성장으로 글로벌 반도체업체들은 앞다퉈 3D낸드 투자에 뛰어들고 있다. SK하이닉스도 올해부터 기존 청주공장에서 3D낸드를 생산할 예정이지만, 삼성이나 도시바, 마이크론 등과의 경쟁에서 살아남을 수 있을지 미지수다. 당장 발등에 떨어진 불은 3D 낸드 양산 성공을 위한 수율 안정화다. 36단 3D 낸드 메모리는 2분기부터 출하를 시작했고 3분기에는 모바일용 36단 3D 낸드 양산에 돌입했다. 현재 제품 개발 및 인증 작업 중인 48단 3D 제품은 연내 판매할 방침이다. 올해 상반기에는 72단 제품 개발도 완료해 하반기 양산 계획이다. 이를 통해 올해 말에는 생산제품의 50% 이상을 3D 낸드로 채우겠다는 방침이다.
◇ D램과 3D낸드 쌍발 엔진 달고 씽씽
SK하이닉스가 올해 D램 호황의 수혜로 실적이 크게 늘어날 것으로 보인다. 그러나 박 부회장이 3D낸드 경쟁력 확보를 위한 대규모 생산투자에 이어 D램의 공정전환에도 투자를 지속해야 하는 부담을 안고 있다.
올해 프리미엄 스마트폰시장에서 대화면 경쟁이 본격적으로 벌어지며 중국업체들을 중심으로 다중작업의 구동성능을 높이기 위한 8기가 이상의 대용량 램 탑재도 보편화될 것으로 전망된다. SK하이닉스가 최근 내놓은 LPDDR4X 규격의 저전력 8기가 램이 삼성전자 갤럭시S8에 탑재될 수 있는데다 중국 고객사를 중심으로 공급을 확대해 실적의 견인차 노릇을 할 수도 있다.
그러나 이런 업황호조에 주목해 삼성전자와 마이크론 등 경쟁업체들이 D램 생산투자에 다시 본격적으로 나설 가능성이 제기되는 점은 SK하이닉스에 변수가 될 것으로 보인다.
SK하이닉스는 올해도 영업이익의 대부분을 D램에 의존할 것으로 예상되는데 공급과잉으로 업황이 악화할 경우 낸드플래시의 비중을 끌어올린 삼성전자보다 더 큰 타격을 받을 수밖에 없다. 박 부회장이 이런 업황변화를 방어할 체질을 갖추기 위해 올해도 SK하이닉스의 D램 미세공정전환에 대규모 투자를 지속해야 한다는 주문이 나온다.
지난해 SK하이닉스는 D램의 원가를 절감할 수 있는 미세공정전환이 늦어지며 상반기 업황악화에 큰 타격을 받았다. 자칫하면 올해 하반기도 이런 상황이 재현될 수 있다.
SK하이닉스는 급성장이 예상되는 3D낸드 시장에서 입지확보를 위해 올해부터 대규모 생산투자가 불가피한데 D램의 미세공정투자를 동시에 집행할 경우 큰 자금부담을 안을 수밖에 없다. 올해 SK하이닉스의 투자 예정금액은 지난해와 비슷한 6조원 안팎으로 책정됐다. 박 부회장이 3D낸드 시장진입을 늦추며 D램 미세공정전환에 집중하거나 올해 D램 업황악화에 따른 실적타격 가능성을 안고 3D낸드에 집중투자하는 방안을 놓고 선택의 기로에 놓여있는 셈이다.
중국업체나 일본 도시바와 3D낸드 생산시설 확보에 협력해 SK하이닉스의 투자부담을 줄이거나 올해 전체 투자금액을 더욱 늘리는 등 박 부회장의 결단이 필요하다는 평가도 나온다.
〈 학 력 〉
- 1982년 울산대 재료공학 학사
- 1984년 한국과학기술원 재료공학 석사
- 1992년 한국과학기술원 재료공학 박사
〈 경 력 〉
- 1984년 현대전자 반도체 연구소 입사
- 2001년 하이닉스반도체 미국생산법인 담당임원
- 2003년 하이닉스반도체 연구소장
- 2010년 하이닉스반도체 연구개발제조총괄
- 2012년 SK하이닉스 연구개발총괄
- 2013년 SK하이닉스 대표이사 사장
- 2017년 SK하이닉스 대표이사 부회장
오아름 기자 ajtwls0707@fntimes.com
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